- Sel surya HJT memiliki desain struktur bifacial yang dapat menyerap cahaya datang dan cahaya yang tersebar dari kedua sisi. Menggunakan PECVD, lapisan pasif silikon intrinsik yang sangat tipis dan lapisan doping silikon tipe-P terbentuk di bagian atas wafer silikon monokristalin tipe-N setelah tekstur dan pembersihan permukaan, dan kemudian lapisan pasif silikon intrinsik yang sangat tipis dan lapisan doping silikon tipe-N diendapkan di sisi lain.
- Setelah pengendapan tumpukan lapisan silikon amorf, teknologi pelapisan sputter magnetron PVD diterapkan untuk menyimpan film konduktif oksida transparan (TCo) dan tumpukan logam di kedua sisi sel surya.
- Akhirnya, kisi-kisi logam di kedua sisi terbuat dari teknologi metalisasi inovatif kami.
- Performa tinggi
- ukuran besar
- redaman rendah
- Rasio sisi ganda yang tinggi
- Kurang proses
- berbelok
- Menggunakan efisiensi tinggi sel surya efisiensi tinggi, hingga lebih dari 21,5% unit efisiensi.
Teknologi pemotongan sel HJT terkemuka. - Koefisien suhu daya paling stabil -0,24% menghasilkan peningkatan efisiensi yang stabil.
- Menggunakan Nafer tipe-n, tanpa penutup yang disebabkan oleh pasangan B-O
- Resistensi PID yang sangat baik.
- Faktor khas 85% membawa lebih banyak peningkatan kinerja ekstra dari belakang ke belakang.
